Vishay präsentiert die weltweit erste monolithische 30-V-Leistungs-MOSFET/Schottky-Dioden-Kombination mit doppelseitiger Kühlung

Neues SkyFET®-Bauteil bietet niedrigen On-Widerstand bis hinab zu 0,0024Ω und Qrrvon 30 nC im gekapselten PolarPAK®-Gehäuse, das 50% höhere Ströme erlaubt als das SO-8-Gehäuse

Malvern, Pennsylvania (USA) – 24. September 2008. Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert die weltweit erste monolithisch integrierte 30-V-Leistungs-MOSFET/Schottky-Dioden-Kombination in einem Gehäuse, das sowohl über die Ober- als auch die Unterseite Wärme ableitet. Das neue Bauteil bietet optimales Leistungsverhalten in Systemen mit erzwungener Luftkühlung. Die neue Leistungs-MOSFET/Schottky-Dioden-Kombination SkyFET®SiE726DFim PolarPAK®-Gehäuse mit doppelseitiger Kühlung ermöglicht in Hochstrom- und Hochfrequenzanwendungen höhere Wirkungsgrade.

Das neue ICSiE726DFwurde optimiert für den Einsatz als Low-Side-Schalter in Synchrongleichrichtern für Hochstrom-DC/DC-Wandler, VRM-Anwendungen, Grafikkarten und Point-of-load-Stromversorgungen in Servern und Telekomsystemen. Es bietet einen ungewöhnlich niedrigen On-Widerstand von maximal 0,0024Ω bei 10 V Gate-Spannung (maximal 0,0033Ω bei 4,5V) und hat eine um 50% höhere Strombelastbarkeit als vergleichbare Bauteile im SO-8-Gehäuse gleicher Größe ohne Kühlkörper. Das Bauteil bietet eine typische Gate-Ladung von 50nC und ein niedriges Q_gd/Q_gs-Verhältnis; dies verringert das Risiko des gleichzeitigen Durchschaltens beider Schalter eines Synchrongleichrichters ("Shoot-through").

Die Q_rrund V_SD-Werte sind mit 30nC bzw. 0,37V nicht einmal halb so groß wie bei einem Standard-MOSFET. Dadurch verringern sich die Parasitäreffekte und die Leistungsverluste durch die Body-Diode des MOSFETs; das Ergebnis ist ein höherer Wirkungsgrad. Mit zunehmender Schaltfrequenz wird die Reduktion der Leistungsverluste immer dramatischer. Dadurch, dass die Schottky-Diode mit auf den Chip integriert ist, können Entwickler kleinere, kompaktere Schaltungen entwickeln und zugleich Kosten einsparen.

Das PolarPAK-Gehäuse mit doppelseitiger Kühlung ermöglicht eine bessere Wärmeabfuhr in Hochstromanwendungen. Durch den niedrigen Wärmewiderstand von nur 1ºC/W oben und 1ºC/W unten sinkt die Sperrschicht-Betriebstemperatur. Das auf einem Leadframe basierende, gekapselte Design bietet verbesserten Schutz und erhöhte Zuverlässigkeit; außerdem vereinfacht es die Produktion, weil das Die nicht offen liegt. Das Bauteil bietet ein von der Die-Größe unabhängiges Anschlussbild – das vereinfacht das Leiterplattenlayout – und wird 100%-ig Rg- und UIS-getestet.

Die neue Leistungs-MOSFET/Schottky-Dioden-KombinationSiE726DFist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen lieferbar; die Lieferzeit für größere Bestellmengen beträgt zehn bis zwölf Wochen.

Vishay Intertechnology, Inc., ein an der New Yorker Börse notiertes (Tickersymbol VSH) und in der ”Fortune 1000”-Liste enthaltenes Unternehmen, zählt zu den weltgrößten Herstellern von diskreten Halbleiterbauelementen (Dioden, Gleichrichter, Transistoren, optoelektronische Bauteile, ausgewählte IC-Typen) und passiven elektronischen Bauteilen (Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten, Sensoren und Wandler). Diese Bauelemente werden in elektronischen Geräten und Einrichtungen fast aller Art eingesetzt. Das Unternehmen ist in zahlreichen Märkten präsent: Industrieelektronik, Computertechnik, Automobiltechnik, Konsumgüterelektronik, Kommunikationstechnik, Wehr-, Luft-/Raumfahrttechnik und Medizintechnik. Vishay bringt immer wieder technische Innovationen hervor, verfolgt eine erfolgreiche Akquisitionsstrategie und kann seinen Kunden eine Vielzahl von Produkten aus einer Hand anbieten. Das sind die Gründe dafür, dass Vishay heute eines der weltweit führenden Unternehmen der Bauelementebranche ist. Im Internet finden Sie Vishay unter http://www.vishay.com.

SkyFET und PowerPAK sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.