ビシェイ社、業界初の両面放熱を採用した、ショットキー・ダイオード付き 30Vモノリシック・パワーMOSFETをリリース

新SkyFET® デバイスは最小ON抵抗0.0024Ω、Qrrは30 nC、 SO-8と比べて150％の電流を扱える PolarPAK® パッケージを採用

ペンシルバニア州マルバーン市、2008年9月 24日：ビシェイ・インターテクノロジー社（NYSE: VSH）は本日、両面放熱パッケージを採用し、強制空冷システムで最高の性能を発揮するショットキー・ダイオード付き30Vモノリシック・パワーMOSFETを業界で初めてリリースしました。このSkyFET®SiE726DFデバイスは高周波、大電流用で、両面放熱PolarPAK® パッケージの採用により効率が特に向上しています。

大電流DC/DCコンバータ同期整流回路の下側制御スイッチ用として、またVRMアプリケーション、グラフィック・カード、サーバや通信システムのポイントオブロード（POL）用として最適化されたSiE726DFのON抵抗はゲート駆動電圧 10Vで0.0024Ω以下（4.5Vでは0.0033Ω以下）と特に低く、ヒートシンクなしの条件で同じ取付け面積のSO-8パッケージと比較した場合、50％も大きな電流を扱うことができます。標準ゲート電荷は50nCで、またシュートスルー防止のためQ_gd/Q_gs比も低く抑えられています。

MOSFETとショットキー・ダイオード組み合わせたSiE726DFはQ_rrが30nC、V_SDが0.37Vと標準的なMOSFETの半分以下で、MOSFETのボディ・ダイオードによる寄生成分や電力損失が減少するため効率が向上します。また、スイッチング周波数が高くなった場合に見られる電力損失は劇的に減少します。その他、外付けショットキー・ダイオードがない分、回路規模も装置自体も小さくなり、コスト低減にも有効です。

PolarPAK パッケージにより両面冷却が可能になるため、大電流時の熱性能が大きく向上します。上面、底面共に熱抵抗は1℃/Wで、ジャンクション温度を下げた動作が可能になります。またリードフレーム・ベースの密閉設計により、製造が容易なだけでなく、ダイが露出しないため保護特性や信頼性が向上しています。ダイの大きさに関係なく同じレイアウトが可能なため、印刷基板の設計が容易です。またRgおよびUISについて全数検査が行われています。

SiE726DFのサンプルおよび製品は現在入手可能で、また大量注文の場合の納期は10～12週間です。

ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 (ダイオード、整流器、トランジスタ、光電子製品や特定のIC等）および受動電子部品 (抵抗、コンデンサ、インダクタ、変換機等) メーカーのひとつ。同社の部品はコンピュータ、自動車、消費者向け、通信、軍用、航空宇宙、医療等多種多様な業界の製品に組み込まれている。革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスの実現で、ビシェイは業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしている。ビシェイ社のホームページはhttp://www.vishay.com。

SkyFETおよびPolarPAKはシリコニクス社（Siliconix incorporated）の登録商標です。